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IPW65R080CFD是一款由英飛凌（Infineon）生產(chǎn)的高性能 N 通道 MOSFET 芯片，屬于 CoolMOS? 系列。該芯片采用先進的工藝制造，專為高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等場景。

技術(shù)參數(shù)

型號：IPW65R080CFD

制造商：Infineon

類型：N-通道 MOSFET

封裝：TO-247-3

最大漏源電壓 VDS：650 V

最大柵極源極電壓 VGS：±20 V

最大連續(xù)漏電流 ID：43.3 A

導(dǎo)通電阻 RDS(on)：80 mΩ（典型值，在 VGS=10V 時）

總功耗：391 W

工作溫度范圍： -55°C 至 +150°C

開關(guān)頻率：高達 1 MHz

閾值電壓 Vgs(th)：4V@1.8mA

柵極電荷量 Qg：167nC@10V

輸入電容 Ciss ：5.03nF@100V

IPW65R080CFD 產(chǎn)品特性

極低的導(dǎo)通電阻 RDS(on)：有助于減少導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。

快速開關(guān)性能：能夠支持高頻應(yīng)用，同時保持較低的開關(guān)損耗。

高擊穿電壓（650V）：使其非常適合高壓環(huán)境下的使用。

優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性和可靠性：能夠在寬溫度范圍內(nèi)正常運行。

內(nèi)置反向二極管：簡化了電路設(shè)計并增強了功能集成度。

符合 RoHS 標(biāo)準：環(huán)保且適用于現(xiàn)代電子產(chǎn)品的生產(chǎn)需求。

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