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商品名稱(chēng):N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:Chip
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:5000 件
IPC302N08N3 [Infineon] 80V,OptiMOS? 3 N-通道功率 MOSFET 晶體管
產(chǎn)品詳情:
型號(hào):IPC302N08N3
封裝:Chip
類(lèi)型:N-通道功率 MOSFET 晶體管
IPC302N08N3 產(chǎn)品屬性:
FET 類(lèi)型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):80 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):1A(Tj)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):100 毫歐 @ 2A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3.5V @ 270μA
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:帶箔切割晶片
封裝/外殼:模具
相關(guān)信息:
英飛凌的 OptiMOS ? 100V、120V 和 150V 系列結(jié)合了非常低的導(dǎo)通電阻 (R DS(on)) 和最快的開(kāi)關(guān)行為,為廣泛的工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用提供出色的性能。從大電流電機(jī)控制應(yīng)用到快速開(kāi)關(guān) DC-DC 轉(zhuǎn)換器或 D 類(lèi)音頻放大器,英飛凌的產(chǎn)品均具有出色的性能、最高的效率和最小的空間要求。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
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