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IAUC50N08S5N102 是一款 10.2mR 80V MOSFET晶體管，采用 5x6 mm2 SSO8 封裝，使用英飛凌領先的 OptiMOS ? 5 技術(shù)。除其他外，它還用于 DCDC 轉(zhuǎn)換器和電機控制。

產(chǎn)品詳情：

型號：IAUC50N08S5N102

系列：OptiMOS?

封裝：PG-TDSON-8

類型：功率MOSFET晶體管

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：80 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：50A（Tj）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：10.2 毫歐 @ 25A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 24μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：21 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1394 pF @ 40 V

功率耗散（最大值）：60W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

IAUC50N08S5N102 產(chǎn)品特性：

OptiMOS ? 5 功率 MOSFET

N溝道增強模式-正常水平

符合 AEC Q101 要求

MSL1 最高回流溫度可達 260°C 峰值

工作溫度為 175°C

100% Avalanche 測試

支持 PPAP 的設備

IAUC50N08S5N102 產(chǎn)品應用：

電動汽車牽引逆變器 

車載充電（OBC） 

皮帶啟動發(fā)電機 48 V — 逆變器 ISG 

多端口燃油噴射

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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