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ISZ173N15NM6：150V，OptiMOS ? 6 功率 MOSFET晶體管，正常電平，采用 SuperSO8 封裝

ISZ173N15NM6 規(guī)格參數：

系列：OptiMOS? 6

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：150 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：7.9A（Ta），48A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，15V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：16.3 毫歐 @ 16A，15V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 35μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：19.2 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1300 pF @ 75 V

功率耗散（最大值）：25W（Ta），94W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-TSDSON-8 FL

封裝/外殼：8-PowerTDFN

ISZ173N15NM6 產品特性：

RDS(on) 比 OptiMOS ?低 42％

FOMg 比 OptiMOS ? 5 低 20%

150 V 下業(yè)界最低的 Qrr

與 OptiMOS ? 5 相比，二極管軟度得到改善

Vgs(th) 嚴格控制在 +/-500 mV 范圍內

高雪崩強度

最大 Tj 為 175°C

ISZ173N15NM6 應用：

儲能系統(tǒng) 

電信基礎設施 

光伏 

工業(yè)電源 

服務器電源 

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