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IXFH60N65X2-4 是 IXYS推出的 N溝道功率MOSFET，屬于 HiPerFET? X2-Class 系列，采用 TO-247-4L 封裝，適用于高頻開關電源、電機驅動及工業(yè)逆變器 等應用。該器件采用超結技術，具有 低導通電阻（RDS(on)）、高電流承載能力及優(yōu)異的雪崩耐量，可顯著提升系統(tǒng)效率并增強可靠性。

IXFH60N65X2-4 特性

高耐壓：650V 漏源電壓（VDS），適用于 工業(yè)電源及新能源逆變器 等高電壓場景。

高電流能力：60A 連續(xù)漏極電流（ID）（殼溫25°C時），脈沖電流 120A，滿足瞬態(tài)高負載需求。

低導通電阻：52mΩ（最大值）@10V VGS, 30A ID，減少傳導損耗。

快速開關性能：柵極電荷（Qg）= 108nC @10V，優(yōu)化高頻驅動效率。

上升時間23ns / 下降時間12ns，適用于 PWM控制應用。

強固性設計：780W 最大功率耗散（殼溫25°C），支持高功率應用。

雪崩能量耐受，增強抗電壓沖擊能力。

寬溫工作范圍：-55°C ~ +150°C（結溫），適應嚴苛工業(yè)環(huán)境。

TO-247-4L 封裝：通孔安裝，自帶散熱片，優(yōu)化熱性能。

低封裝電感：減少高頻開關噪聲。

IXFH60N65X2-4 典型應用

電源轉換：PFC（功率因數(shù)校正）電路、DC-DC轉換器。

電機驅動：工業(yè)伺服系統(tǒng)、電動汽車輔助電機。

逆變器：太陽能逆變器、UPS不間斷電源。

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