商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:TO-220
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
IRFB3306GPBF是 英飛凌旗下 HEXFET? 系列 的一款 N溝道功率MOSFET,采用 TO-220AB封裝,適用于高電流開關(guān)、電源轉(zhuǎn)換及電機驅(qū)動等應(yīng)用。該器件憑借低導(dǎo)通電阻、高電流承載能力及優(yōu)異的散熱性能,成為工業(yè)與汽車電子領(lǐng)域的優(yōu)選方案。
特性(IRFB3306GPBF)
符合行業(yè)標準的通孔式電源封裝
高電流額定值
符合JEDEC標準的產(chǎn)品認證
針對開關(guān)頻率低于<100 kHz的應(yīng)用優(yōu)化的硅材料
與上一代硅材料相比,體二極管更柔和
提供廣泛的產(chǎn)品組合
技術(shù)參數(shù)(IRFB3306GPBF)
漏源電壓 :60V
連續(xù)漏極電流 :在 25°C 時為 160A,當結(jié)溫為 150℃時為 120A
導(dǎo)通電阻 :最大值為 4.2mΩ @ 75A,10V,典型值為 3.3mΩ @ 79A,10V,1.9mΩ @ 112A,10V
柵極閾值電壓 :最大值為 4V @ 150μA
柵極電荷量 :最大值為 120nC @ 10V
輸入電容 :最大值為 4520pF @ 50V
反向傳輸電容 :最大值為 250pF
耗散功率 :最大值為 230W(Tc)
工作溫度 :-55℃~+175℃(TJ)
優(yōu)勢(IRFB3306GPBF)
標準引腳布局支持直接替換
高電流承載能力封裝
符合行業(yè)標準的認證級別
在低頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色
提升功率密度
為設(shè)計師提供靈活性,可選擇最適合其應(yīng)用的器件
應(yīng)用(IRFB3306GPBF)
開關(guān)電源中的高效率同步整流
不間斷電源
高速電源開關(guān)
硬開關(guān)和高頻電路
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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