商品名稱:BGT60ATR24CE6327XTMA1
數(shù)據(jù)手冊:BGT60ATR24CE6327XTMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-VFWLB-76-1
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
BGT60ATR24CE6327XTMA1汽車級60GHz雷達(dá)傳感器實現(xiàn)超寬帶頻率調(diào)制連續(xù)波 (FMCW) 操作,采用小型封裝。BGT60ATR24C設(shè)計用于車載占位檢測(掃描機艙以掃描人和寵物)。通過數(shù)字接口實現(xiàn)傳感器配置和數(shù)據(jù)采集。集成狀態(tài)機支持獨立的數(shù)據(jù)采集,具有功率模式優(yōu)化功能,可實現(xiàn)低功耗。
規(guī)范:
? 最大射頻輸入功率電平:+10dBm
? 頻率范圍:58.0GHz至62.0GHz
? 系統(tǒng)參考頻率范圍:75MHz至85MHz
? 占空比范圍:45%至55%
? 上升和下降時間:6ns(最大值)
? 典型相位抖動:1ps
? 典型熱阻:44.2K/W
? ESD
- ±2000V人體模型 (HBM)
- 充電設(shè)備模型:±750V
? 溫度范圍
- 結(jié)溫:-40°C至+145°C
- 儲存溫度范圍:-40°C至+150°C
- 芯片背面:-40°C至+105°C
應(yīng)用:
雷達(dá)前端,用于手勢傳感
高分辨率FMCW雷達(dá)
短程傳感操作
天線罩后面的隱藏傳感應(yīng)用
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術(shù)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開關(guān)應(yīng)用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格:產(chǎn)品優(yōu)勢具有出色的效率,降低結(jié)溫和外殼溫度,從而提高設(shè)備可靠性母線電壓可提升50V,同時不影響可靠性更高的功率密度設(shè)…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應(yīng)用領(lǐng)域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。技術(shù)參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設(shè)計降低電磁干擾技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢:86-755-83294757
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