商品名稱:雷達(dá)傳感器
品牌:ON
年份:24+
封裝:QFN-28
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
ARRAYRDM-0112A20-QFN-TR 硅光電倍增管 (SiPM) - 近紅外增強(qiáng)型,用于汽車(chē)激光雷達(dá)應(yīng)用
ARRAYRDM-0112A20-QFN-TR - 產(chǎn)品描述:
ARRAYRDM-0112A20-QFN-TR 硅光電倍增管 (SiPM) 是一種高增益、單光子敏感型傳感器,用于檢測(cè)可見(jiàn)光至近紅外波長(zhǎng)。ArrayRDM-0112A20-QFN 是基于市場(chǎng)領(lǐng)先的 RDM 工藝的單片式 1 × 12 SiPM 像素陣列。RDM 工藝專(zhuān)門(mén)開(kāi)發(fā)用于在 905/940nm 近紅外波長(zhǎng)(通常用于激光雷達(dá)和 3D dToF 測(cè)距應(yīng)用)上實(shí)現(xiàn)高 PDE(光子檢測(cè)效率)的產(chǎn)品。
ARRAYRDM-0112A20-QFN-TR - 產(chǎn)品特性:
高增益和探測(cè)效率
符合汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)
1 x 12 像素陣列格式
905 納米波長(zhǎng)下的 PDE 為 16
30 V 偏置電源
0.47 mm x 1.12 mm 像素尺寸
QFN 封裝(10 毫米 x 5.2 毫米)
ARRAYRDM-0112A20-QFN-TR - 應(yīng)用:
3D 測(cè)距和傳感
汽車(chē)激光雷達(dá)
工業(yè)激光雷達(dá)
消費(fèi)類(lèi) 3D 成像
機(jī)器人
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
42-BGA
2000
XENSIV? 60GHz 第一個(gè)完全自主的運(yùn)動(dòng)感應(yīng)雷達(dá)傳感器
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?chē)、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無(wú)刷直流(BLDC)電機(jī)預(yù)驅(qū)動(dòng)器,專(zhuān)為汽車(chē)電子、工業(yè)控制及消費(fèi)類(lèi)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)。UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級(jí)結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級(jí)聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場(chǎng)上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開(kāi)關(guān)速度和類(lèi)似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開(kāi)關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢:86-755-83294757
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