STD20NF06LAG:汽車級N溝道60 V、32 mOhm典型值、24 A STripFET II功率MOSFET,DPAK封裝介紹:STD20NF06LAG功率MOSFET是使用意法半導(dǎo)體獨(dú)特的STripFET工藝開發(fā)的,該工藝專門設(shè)計(jì)用于最小化輸入電容和柵極電荷。這使得該器件適合用作高級高效隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的主開關(guān),…
STD20NF06LAG:汽車級N溝道60 V、32 mOhm典型值、24 A STripFET II功率MOSFET,DPAK封裝
介紹:
STD20NF06LAG功率MOSFET是使用意法半導(dǎo)體獨(dú)特的STripFET工藝開發(fā)的,該工藝專門設(shè)計(jì)用于最小化輸入電容和柵極電荷。這使得該器件適合用作高級高效隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的主開關(guān),適合電信和計(jì)算機(jī)應(yīng)用,以及具有低柵極電荷驅(qū)動要求的應(yīng)用。
詳細(xì)參數(shù)
制造商:STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:MOSFET
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:DPAK-3 (TO-252-3)
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Id-連續(xù)漏極電流:24 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:40 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V
Qg-柵極電荷:13 nC
最小工作溫度:- 55°C
最大工作溫度:+ 175°C
Pd-功率耗散:60 W
通道模式:Enhancement
資格:AEC-Q101
商標(biāo)名:STripFET
系列:STD20NF06LAG
封裝:Reel
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
配置:Single
下降時間:12 ns
產(chǎn)品類型:MOSFETs
上升時間:50 ns
晶體管類型:1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間:20 ns
典型接通延遲時間:11 ns
單位重量:360 mg
電話咨詢:86-755-83294757
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