1、說明QPC3025是一款絕緣體上硅（SOI）單刀雙擲（SPDT）開關，設計用于4G/5G無線基礎設施應用和其他高性能通信系統(tǒng)。它采用對稱拓撲結構，具有低插入損耗和出色的線性度。該開關可在50歐姆負載下處理高達20 W CW和30 W脈沖功率。RF端口上不需要隔直電容。交換機端口具有…
1、說明
QPC3025是一款絕緣體上硅（SOI）單刀雙擲（SPDT）開關，設計用于4G/5G無線基礎設施應用和其他高性能通信系統(tǒng)。它采用對稱拓撲結構，具有低插入損耗和出色的線性度。該開關可在50歐姆負載下處理高達20 W CW和30 W脈沖功率。RF端口上不需要隔直電容。交換機端口具有反射性。QPC3025兼容+1.8 V邏輯，具有單引腳解決方案，可禁用負電壓發(fā)生器，并在必要時從片外提供負電壓。
QPC3025 采用符合 RoHS 標準的緊湊型 5 x 5 mm 表面貼裝無引線封裝。
2、應用
? 無線基礎設施
? 宏基站或微微蜂窩基站
? 中繼器
3、關鍵性能
工作頻率：30 MHz至4200 MHz
對稱單刀雙擲
0.35 dB插入損耗
30W脈沖功率處理能力
高隔離度：40 dB（2 GHz）
VCTRL線路中的1.8 V邏輯兼容
ESD HBM等級：2級
兼容2.7-5.0 V電源
緊湊尺寸：5.0 X 5.0 mm
深圳市明佳達電子有限公司供應且回收Qorvo QPC3025 30 MHz至4.2 GHz高功率反射式單刀雙擲開關。
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