深圳市明佳達(dá)電子供應(yīng) 英飛凌 IGD03N120S7 1200V 3A IGBT7 S7 晶體管IGD03N120S7 的產(chǎn)品描述IGD03N120S7 是硬開關(guān) 1200 V、3 A 單 TRENCHSTOP? IGBT7 S7 分立器件,采用 TO-252 封裝,具有低 VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)極低的傳導(dǎo)損耗。IGD03N120S7 的規(guī)格產(chǎn)品類別:IG…
深圳市明佳達(dá)電子供應(yīng) 英飛凌 IGD03N120S7 1200V 3A IGBT7 S7 晶體管
IGD03N120S7 的產(chǎn)品描述
IGD03N120S7 是硬開關(guān) 1200 V、3 A 單 TRENCHSTOP? IGBT7 S7 分立器件,采用 TO-252 封裝,具有低 VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)極低的傳導(dǎo)損耗。
IGD03N120S7 的規(guī)格
產(chǎn)品類別:IGBT
技術(shù):硅
封裝/外殼:PG-TO252-3
配置:?jiǎn)?
集電極-發(fā)射極電壓 VCEO 最大值:1.2 kV
集電極-發(fā)射極飽和電壓:1.65 V
25 C 時(shí)的連續(xù)集電極電流:10 A
Pd - 功率耗散:45 W
最低工作溫度:- 40 C
最高工作溫度:+ 150 C
柵極-發(fā)射極泄漏電流:100 nA
IGD03N120S7 的特性
VCE = 1200 V
IC = 3 A
Tvj = 150°C 時(shí)的低飽和電壓 VCEsat = 2 V
短路穩(wěn)固性 8 μs
寬范圍 dv/dt 可控性
IGD03N120S7 的優(yōu)點(diǎn)
用于高電壓輔助電源的緊湊型設(shè)計(jì)
減少 EMI 和電磁干擾
IGD03N120S7 的應(yīng)用
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制
時(shí)間:2025-05-10
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