商品名稱:汽車 MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-TO263-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:5000 件
IPB120N06S4-03:60V、OptiMOS? -T2 汽車 MOSFET 晶體管,PG-TO263-3
IPB120N06S4-03 規(guī)格參數(shù):
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3)
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 120 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.3 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 160 nC
最小工作溫度: - 55 ℃
最大工作溫度: + 175 ℃
Pd-功率耗散: 167 W
通道模式: Enhancement
系列: OptiMOS-T2
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 80 ns
典型接通延遲時(shí)間: 40 ns
IPB120N06S4-03 產(chǎn)品特性:
N溝道 - 增強(qiáng)模式
符合汽車 AEC Q101 標(biāo)準(zhǔn)
MSL1 最高回流溫度可達(dá) 260°C 峰值
工作溫度為 175°C
100% Avalanche 測試
支持 PPAP 的設(shè)備
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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S25FL512SDPMFV013 FL-S NOR閃存器件是一款工作電壓為2.7V至3.6V的512Mb閃存非易失性存儲器。S25FL512SDPMFV013產(chǎn)品兼具高密度存儲容量與靈活性能,可滿足各類嵌入式應(yīng)用對高速性能的需求。該產(chǎn)品是代碼影射、XIP和數(shù)據(jù)存儲的理想選擇。S25FL512SDPMFV013特性? 3.0V CMO…S25FL512SDPBHV310
S25FL512SDPBHV310 FL-S NOR閃存器件是一款工作電壓為2.7V至3.6V的512Mb閃存非易失性存儲器。S25FL512SDPBHV310產(chǎn)品兼具高密度存儲容量與靈活性能,可滿足各類嵌入式應(yīng)用對高速性能的需求。該產(chǎn)品是代碼影射、XIP和數(shù)據(jù)存儲的理想選擇。S25FL512SDPBHV310特性? 3.0V CMO…S25FL512SDPMFVG11
S25FL512SDPMFVG11 FL-S NOR閃存器件是一款工作電壓為2.7V至3.6V的512Mb閃存非易失性存儲器。S25FL512SDPMFVG11產(chǎn)品兼具高密度存儲容量與靈活性能,可滿足各類嵌入式應(yīng)用對高速性能的需求。該產(chǎn)品是代碼影射、XIP和數(shù)據(jù)存儲的理想選擇。S25FL512SDPMFVG11特性? 3.0V CMO…S25FL512SDPBHIC13
S25FL512SDPBHIC13 FL-S NOR閃存器件是一款工作電壓為2.7V至3.6V的512Mb閃存非易失性存儲器。S25FL512SDPBHIC13產(chǎn)品兼具高密度存儲容量與靈活性能,可滿足各類嵌入式應(yīng)用對高速性能的需求。該產(chǎn)品是代碼影射、XIP和數(shù)據(jù)存儲的理想選擇。S25FL512SDPBHIC13特性? 3.0V CMO…S25FL256LAGMFB000
S25FL256LAGMFB000是一款閃存非易失性存儲器,通過串行外設(shè)接口(SPI)連接至主機(jī)系統(tǒng)。除支持傳統(tǒng)SPI單比特串行輸入輸出(單I/O或SIO)外,還可選配雙比特(雙I/O或DIO)、四比特寬度的四路I/O(QIO)及四路外設(shè)接口(QPI)命令。此外,QIO和QPI支持雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)…電話咨詢:86-755-83294757
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