商品名稱:MT41K512M16VRP-107 AAT:P
數(shù)據(jù)手冊:MT41K512M16VRP-107?AATP.pdf
品牌:Micron
年份:23+
封裝:96-FBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
MT41K512M16VRP-107 AAT:P 是一款高速 CMOS 動態(tài)隨機存取存儲器件,內(nèi)部配置為兩個 8 塊 DDR3L SDRAM 器件。
MT41K512M16VRP-107 AAT:P 采用雙數(shù)據(jù)速率架構(gòu)實現(xiàn)高速運行。雙數(shù)據(jù)速率架構(gòu)是一種 8n 預(yù)取架構(gòu),其接口設(shè)計用于在 I/O 球上每個時鐘周期傳輸兩個數(shù)據(jù)字。單次讀取或?qū)懭朐L問包括在內(nèi)部 DRAM 內(nèi)核進行一次 8n 位寬、一個時鐘周期的數(shù)據(jù)傳輸,以及在 I/O 球進行 8 次相應(yīng)的 n 位寬、一個半時鐘周期的數(shù)據(jù)傳輸。數(shù)據(jù)傳輸。
特點
使用兩個 x8、4GB Micron 芯片組成一個 x16 封裝
單級 TwinDie
一個外部 ZQ 球和一個內(nèi)部 ZQ 通過嵌入式串行電阻器連接到 VSSQ
向后兼容 VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
差分雙向數(shù)據(jù)選通
8n 位預(yù)取架構(gòu)
差分時鐘輸入
8 個內(nèi)部組
數(shù)據(jù)、選通和掩碼信號的標(biāo)稱和動態(tài)芯片端接
可編程 CAS 延遲
可編程發(fā)布 CAS 加法延遲
可編程 CAS 延遲
8 個固定突發(fā)長度和 4 個突發(fā)斬波
可實時選擇 BC4 或 BL8
自刷新模式
自刷新溫度
自動自我刷新
寫均衡
多用途寄存器
輸出驅(qū)動器校準(zhǔn)
AEC-Q100
提交 PPAP
8D 響應(yīng)時間
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
SK hynix
FBGA-200
1000
Mem-SDRAM-Lpddr4, 16Gb(2Gb), 2Chx16, 3733Mbps, FBGA-200 (15.1X10.1)mm X 1mm Max H
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Micron是全球著名的半導(dǎo)體存儲器方案供應(yīng)商。該公司的存儲器方案被應(yīng)用于計算機及外設(shè)、消費電子、CAD/CAM、通信、辦公室自動化、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)處理、圖形顯示等。公司1978年組建,總部位于美國愛德荷州,有員工約16,000人,擁有全球化的生產(chǎn)、銷售網(wǎng)點。目前主要生產(chǎn)DRAM、…
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MT61M256M32JE-12 AAT:A是一款 GDDR6 動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)。電話咨詢:86-755-83294757
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