商品名稱：SRAM 存儲器
品牌：INFINEON
年份：25+
封裝：48-VFBGA
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
CY62158GE30-45BVXI 是一款帶嵌入式 ECC 的高性能 CMOS 低功耗 (MoBL) SRAM 器件。
通過將兩個芯片使能輸入（CE1 為低電平，CE2 為高電平）置位來訪問器件。
CY62158GE30-45BVXI 的特性
超低待機功耗
典型待機電流：1.4 μA
最大待機電流：6.5 μA
高速：45 毫微秒
用于單位糾錯的嵌入式糾錯碼（ECC）[1, 2］
工作電壓范圍：2.2 V 至 3.6 V
1.0 V 數(shù)據(jù)保持
晶體管-晶體管邏輯 (TTL) 兼容輸入和輸出
提供無鉛 48 球 VFBGA 和 44 引腳 TSOP II 封裝
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
100-TQFP
2000
ИМС 18-Мбит синхронной памяти SRAM с проточным управлением
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2EDN8534F是英飛凌一款雙通道5A柵極驅(qū)動器IC，屬于EiceDRIVER? 2EDN系列，專為驅(qū)動標準MOSFET、超結(jié)MOSFET及寬禁帶（WBG）功率開關(guān)器件（如SiC、GaN）而優(yōu)化。
IRS2181STRPBF
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC，具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流，采用 8 引線 SOIC 封裝，適用于 IGBT 和 MOSFET。
BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開關(guān)，采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET，適用于 12V 和 24V 接地負載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢：86-755-83294757
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