商品名稱:ARM微控制器 - MCU
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:VQFN-68
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
CY8C6245LQI-S3D72是一款搭載ARM Cortex-M4核心的微控制器芯片,工作頻率高達150MHz,它屬于PSoC 62x5系列。該 MCU 包括64個智能GPIO、1個12位SAR ADC、63個DMA通道、FS-USB全速接口、Quad-SPI接口等。
基本參數(shù)
核心處理器:ARM? Cortex?-M0+,ARM? Cortex?-M4F
內(nèi)核規(guī)格:32 位雙核
速度:100MHz,150MHz
連接能力:CANbus,F(xiàn)IFO,I2C,IrDA,LINbus,MMC/SD/SDIO,QSPI,智能卡,SPI,UART/USART,USB
外設(shè):藍牙,掉電檢測/復位,電容感應(yīng),DMA,LCD,LVD,POR,PWM,SmartSense,WDT
I/O 數(shù):53
程序存儲容量:512KB(512K x 8)
程序存儲器類型:閃存
EEPROM 容量:-
RAM 大?。?56K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):1.7V ~ 3.6V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 16x12b SAR,10b 三角積分; D/A 2x7/8b
振蕩器類型:外部,內(nèi)部
工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
器件封裝:68-QFN(8x8)
此外,CY8C6245LQI-S3D72適用于多種應(yīng)用場景,包括智能家居、智能照明、工業(yè)控制等領(lǐng)域。其高集成度和豐富的外設(shè)支持使其在需要復雜控制和通信功能的設(shè)備中表現(xiàn)出色。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
NXP
LQFP-64
22000
ARM 微控制器 - MCU Kinetis E 32 位 MCU、ARM Cortex-M4 內(nèi)核、128KB 閃存、48MHz、QFP 64
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術(shù)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開關(guān)應(yīng)用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格:產(chǎn)品優(yōu)勢具有出色的效率,降低結(jié)溫和外殼溫度,從而提高設(shè)備可靠性母線電壓可提升50V,同時不影響可靠性更高的功率密度設(shè)…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應(yīng)用中實現(xiàn)超低導通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應(yīng)用領(lǐng)域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應(yīng)用中實現(xiàn)超低導通損耗。技術(shù)參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應(yīng)用中實現(xiàn)超低導通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應(yīng)用中實現(xiàn)超低導通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設(shè)計降低電磁干擾技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢:86-755-83294757
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