商品名稱:ARM微控制器 - MCU
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:VQFN-68
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
CY8C4246LTI-DM405微控制器具有多種低功耗模式,包括Sleep、Deep Sleep、Hibernate和Stop模式,適用于不同的應用場景。在Deep Sleep模式下,該微控制器可以在VDD = 1.8到3.6V的條件下,以極低的電流消耗運行,例如I2C喚醒和看門狗定時器開啟時的電流消耗僅為1.35 μA。此外,PSoC 4200M系列具備高效的電源管理系統(tǒng),可以在不同的電源模式下提供穩(wěn)定的電源供應,同時減少功耗?。
基本參數(shù)
核心處理器?:ARM Cortex-M0
核心尺寸?:32位
速度?:48MHz
連接性?:I2C, IrDA, LIN, Microwire, 智能卡, SPI, SSP, UART/USART
外設?:掉電檢測/復位, 電容感應, LCD, LVD, POR, PWM, 智能檢測, WDT
I/O數(shù)量?:55
程序存儲容量?:64KB (64K x 8)
RAM容量?:8K x 8?
電源電壓?:1.71 V ~ 5.5 V
工作溫度?:-40°C ~ 85°C (TA)
封裝?:68-VFQFN
由于CY8C4246LTI-DM405的低功耗特性和豐富的外設接口,它適用于需要低功耗和多種通信接口的應用場景,如智能家居、可穿戴設備、工業(yè)控制等?。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
NXP
LQFP-64
22000
ARM 微控制器 - MCU Kinetis E 32 位 MCU、ARM Cortex-M4 內核、128KB 閃存、48MHz、QFP 64
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開關應用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢和技術規(guī)格:產品優(yōu)勢具有出色的效率,降低結溫和外殼溫度,從而提高設備可靠性母線電壓可提升50V,同時不影響可靠性更高的功率密度設…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應用領域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。技術參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。其特征和技術規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設計降低電磁干擾技術規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢:86-755-83294757
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