商品名稱:ARM微控制器 - MCU
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:TQFP-48
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
CY8C4025AZQ-S413是一款基于Arm Cortex-M0+ CPU的PSoC 4000S系列微控制器,具有包括CAN接口、比較器、電容感應(Capsense)、定時器/計數(shù)器/PWM模塊等?特性。由于其高性能和靈活性,CY8C4025AZQ-S413可以廣泛應用于各種嵌入式系統(tǒng)、消費電子、智能家居、工業(yè)控制等領域。其低功耗和高性能的特點使其在需要高可靠性和復雜功能的應用中表現(xiàn)出色?。
CY8C4025AZQ-S413參數(shù)
核心處理器:ARM? Cortex?-M0+
內(nèi)核規(guī)格:32-位
速度:24MHz
連接能力:FIFO,I2C,IrDA,LINbus,Microwire,智能卡,SPI,SSP,UART/USART
外設:欠壓檢測/復位,電容感應,LCD,LVD,POR,PWM,WDT
I/O 數(shù):36
程序存儲容量:32KB(32K x 8)
程序存儲器類型:閃存
EEPROM 容量:-
RAM 大?。?K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):1.71V ~ 5.5V
數(shù)據(jù)轉換器:A/D 16x10b 三角積分; D/A 2x7/8b
振蕩器類型:內(nèi)部
工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
器件封裝:48-TQFP(7x7)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
NXP
LQFP-64
22000
ARM 微控制器 - MCU Kinetis E 32 位 MCU、ARM Cortex-M4 內(nèi)核、128KB 閃存、48MHz、QFP 64
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開關應用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢和技術規(guī)格:產(chǎn)品優(yōu)勢具有出色的效率,降低結溫和外殼溫度,從而提高設備可靠性母線電壓可提升50V,同時不影響可靠性更高的功率密度設…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應用領域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。技術參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。其特征和技術規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設計降低電磁干擾技術規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢:86-755-83294757
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