商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管
品牌:Diotec
年份:25+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
DIF065SIC020器件是一款650 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管,具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速度高及抗輻射能力強(qiáng)等特點?。由于SiC材料的優(yōu)勢,DIF065SIC020非常適合于高溫、高壓、高頻、大功率等應(yīng)用場景。它特別適用于需要高效能、高可靠性的工業(yè)設(shè)備和汽車電子系統(tǒng)?。
技術(shù)參數(shù)
封裝 / 箱體:TO-247-4
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
Id-連續(xù)漏極電流:150 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:20 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 5 V, + 18 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V
Qg-柵極電荷:236 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:550 W
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:DIF065SIC020
配置:Single
下降時間:27 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值:42 S
產(chǎn)品類型:SiC MOSFETS
上升時間:136 ns
晶體管類型:1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間:63 ns
典型接通延遲時間:25 ns
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Diotec Semiconductor是一家總部位于德國的半導(dǎo)體公司,成立于1975年,擁有超過40年的二極管研發(fā)和制造經(jīng)驗。公司憑借其專業(yè)技術(shù)和高質(zhì)量產(chǎn)品,在電子元器件領(lǐng)域享有盛譽?。Diotec Semiconductor的主要產(chǎn)品包括各種二極管、整流器、保護(hù)器件(如TVS/ESD)、三極管、場效…
DIW120SIC059-AQ
DIW120SIC059-AQ:1200V,65A,SiC MOSFET 晶體管——高速高壓(功率)開關(guān),TO-247-4基本信息:型號:DIW120SIC059-AQ封裝:TO-247-4類型:SiC MOSFET 晶體管FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):65A(Tc)驅(qū)動…DIF120SIC053-AQ
DIF120SIC053-AQ:SiC MOSFET 晶體管——高速高壓(功率)開關(guān),TO-247-4型號:DIF120SIC053-AQ封裝:TO-247-4類型:SiC MOSFET 晶體管DIF120SIC053-AQ 產(chǎn)品屬性:FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):65A(Tc)…DIF120SIC022
DIF120SIC022是一款1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管,由于SiC材料的特性,DIF120SIC022器件的開關(guān)損耗較低。相比傳統(tǒng)的硅(Si)器件,SiC器件在開關(guān)過程中產(chǎn)生的損耗更小,這有助于提高系統(tǒng)的整體效率和可靠性?。此外,DIF120SIC022器件適用于高頻應(yīng)用,能夠在高頻條件…DIF065SIC030
DIF065SIC030是 Diotec Semiconductor 推出的碳化硅(SiC)MOSFET 器件,屬于其 SiC 功率半導(dǎo)體產(chǎn)品線。DIF065SIC030采用 4H-SiC 晶型襯底,具備寬禁帶(約 3.2eV)、高臨界擊穿電場(約 2.8 MV/cm)及高熱導(dǎo)率等優(yōu)勢,適合高溫、高壓、高頻應(yīng)用?。技術(shù)參數(shù)封裝 / 箱體:…電話咨詢:86-755-83294757
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