FS100R07PE4是一款650 V 100 A 六單元 IGBT模塊。該模塊采用第四代溝槽柵/場終止 IGBT、第四代發(fā)射極控制二極管、NTC 溫度檢測 和 PressFIT 壓接技術(shù),屬于EconoPACK? 4系列。
技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)品:FS100R07PE4
配置:6-Pack
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V
集電極—射極飽和電壓:1.55 V
在25 C的連續(xù)集電極電流:100 A
柵極—射極漏泄電流:400 nA
Pd-功率耗散:335 W
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 150 C
產(chǎn)品類型:IGBT Modules
系列:Trench/Fieldstop IGBT4 - E4
單位重量:400 g
FS100R07PE4適用于需要高電壓和高電流的工業(yè)應(yīng)用,包括:
工業(yè)控制?:用于工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)。
電力電子設(shè)備?:在電力電子設(shè)備中實現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和控制。?
驅(qū)動系統(tǒng)?:在電動汽車和混合動力汽車的驅(qū)動系統(tǒng)中使用,提供高效的能量轉(zhuǎn)換和驅(qū)動控制。
型號
品牌
封裝
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描述
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IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應(yīng)用領(lǐng)域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。技術(shù)參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設(shè)計降低電磁干擾技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢:86-755-83294757
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