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商品型號:IMT65R040M2H

商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管

品牌:INFINEON

年份:25+

封裝:PG-HSOF-8

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:2000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
IMT65R040M2H
封裝
PG-HSOF-8
描述
CoolSiC? 650 V G2 碳化硅 MOSFET 晶體管

產(chǎn)品描述

IMT65R040M2H是一款CoolSiC? MOSFET 650 V G2產(chǎn)品,采用TOLL封裝形式,導(dǎo)通電阻為40 m???。該產(chǎn)品具有出色的魯棒性和可靠性,能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作,最高結(jié)溫達(dá)到175°C,并且經(jīng)過12000次熱循環(huán)測試(TCoB),確保了長期使用的穩(wěn)定性?。


IMT65R040M2H適用于多種應(yīng)用場景,包括TV電源、采暖通風(fēng)與空調(diào)(HVAC)等。其高效能和緊湊的設(shè)計(jì)使其在需要高功率密度的應(yīng)用中表現(xiàn)出色?。


IMT65R040M2H 規(guī)格

封裝 / 箱體:HSOF-8

晶體管極性:N-Channel

通道數(shù)量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:650 V

Id-連續(xù)漏極電流:58.7 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:49 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:- 7 V, + 23 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:5.6 V

Qg-柵極電荷:28 nC

工作溫度:- 55°C 至 + 175°C

Pd-功率耗散:277 W

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:4.6 ns

產(chǎn)品類型:SiC MOSFETS

上升時(shí)間:8.3 ns

晶體管類型:1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:14.4 ns

典型接通延遲時(shí)間:8.4 ns


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常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

  • 3.可以提供原廠或代理的資質(zhì)證明嗎?

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