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NVMFWS2D1N08XT1G是一款單N-通道功率MOSFET，具有80V的漏源電壓和181A的連續(xù)漏極電流，導(dǎo)通電阻為2.1mohm??。該器件采用SO8FL封裝，適用于需要高電流處理的電路設(shè)計(jì)。

產(chǎn)品屬性

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：80 V

Id-連續(xù)漏極電流：181 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：2.1 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：3.6 V

Qg-柵極電荷：53 nC

工作溫度：- 55°C 至 + 175°C

Pd-功率耗散：148 W

通道模式：Enhancement

封裝：DFNW-5

配置：Single

下降時(shí)間：6 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值：135 S

產(chǎn)品類型：MOSFETs

上升時(shí)間：10 ns

系列：NVMFS2D1N08X

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