商品名稱：BUK4D122-20PX
數(shù)據(jù)手冊：
BUK4D122-20PX.pdf
品牌：Nexperia
年份：23+
封裝：6-UDFN
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：3000 件
BUK4D122-20PX是一款P通道增強模式場效應晶體管(FET)采用無鉛中功率DFN2020MD-6 (SOT1220)表面貼裝器件(SMD)塑料封裝，采用Trench MOSFET技術(shù)。
特性：
擴展溫度范圍Tj = 175℃
小型無引線超薄SMD塑料封裝:2 × 2 × 0.65 mm
鍍錫100%可焊側(cè)墊，用于光學焊料檢查
靜電放電(ESD)保護> 2kv HBM
溝槽MOSFET技術(shù)
AEC-Q101合格
應用：
繼電器驅(qū)動程序
高速線路司機
高側(cè)負載開關
開關電路
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安世半導體（中國）有限公司 Nexperia是全球領先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專業(yè)制造商。公司于2017年初獨立。Nexperia極為重視效率，生產(chǎn)大批量性能可靠穩(wěn)定的半導體元件，每年生產(chǎn)1,000多億件性能可靠穩(wěn)定的半導體元件。公司擁有豐富的產(chǎn)品組合，能夠滿足汽車…
PSC2065JJ
PSC2065JJ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-263-2 通孔功率塑料封裝中，具有不受溫度影響的電容關斷、零恢復開關特性以及出色的性能。PSC2065JJ 的特點零正向和反向恢復降低系統(tǒng)成本與溫度無關的快速平穩(wěn)開關…
PSC2065LQ
PSC2065LQ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-247-2 通孔功率塑料封裝中，具有不受溫度影響的電容關斷、零恢復開關特性以及出色的性能。PSC2065LQ 的特點零正向和反向恢復降低系統(tǒng)成本與溫度無關的快速平穩(wěn)開關…
GAN039-650NTBZ
GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化鎵(GaN) FET，采用CCPAK1212i倒裝封裝，具有低電感、低開關損耗和高可靠性。GAN039-650NTBZ的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）：650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：58.5A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，…
GAN039-650NBBHP
GAN039-650NBBHP是一款650 V、33mΩ氮化鎵(GaN) FET，采用CCPAK1212封裝。該器件采用無引線接合，可優(yōu)化散熱和電氣性能，提供共源共柵配置，無需復雜的驅(qū)動器和控制。GAN039-650NBBHP的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：650 V25C 時電…
GANB4R8-040CBAZ
GANB4R8-040CBAZ雙向GaN FET是一款40V、4.8mΩ 雙向氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT)。GANB4R8-040CBA是一款常閉emode FET，具有出色的性能。特性：增強模式－常關電源開關雙向器件超高開關速度能力超低導通電阻符合RoHS指令，無鉛，符合REACH標準高效率和高功率密…
GANE3R9-150QBAZ
GANE3R9-150QBAZ氮化鎵 (GaN) FET是一款通用150V、3.9mΩ 氮化鎵 (GaN) FET。GANE3R9-150QBA是一款常閉電子模式器件，具有出色的性能和非常低的導通電阻。Nexperia GANE3R9-150QBA采用超薄四方扁平無引線封裝 (VQFN)。特性：增強模式－常關電源開關超高頻開關能力無體二極…電話咨詢：86-755-83294757
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