STM32F091RCH6TR是一款基于 ARM? Cortex?-M0 內核的 32 位微控制器(MCU),屬于 STM32F0 系列。
STM32F091xB/xC 微控制器集成了高性能 ARM?Cortex?-M0 32 位 RISC 內核(工作頻率高達 48 MHz)、高速嵌入式存儲器(高達 256 Kbytes 的閃存和 32 Kbytes 的 SRAM)以及各種增強型外設和 I/O。該器件提供標準通信接口(兩個 I2C、兩個 SPI/一個 I2S、一個 HDMI CEC 和多達八個 USART)、一個 CAN、一個 12 位 ADC、一個雙通道 12 位 DAC、七個 16 位定時器、一個 32 位定時器和一個高級控制 PWM 定時器。
STM32F091xB/xC 微控制器的工作溫度范圍為 -40 至 +85 ℃ 和 -40 至 +105 ℃,電源電壓為 2.0 至 3.6 V。全套省電模式允許設計低功耗應用。
STM32F091xB/xC 微控制器包括七種不同封裝的器件,從 48 引腳到 100 引腳不等,還可根據要求提供裸片形式。根據所選器件的不同,還包括不同的外設。
這些特性使 STM32F091xB/xC 微控制器適用于各種應用,如應用控制和用戶界面、手持設備、A/V 接收器和數字電視、PC 外圍設備、游戲和 GPS 平臺、工業(yè)應用、PLC、變頻器、打印機、掃描儀、報警系統(tǒng)、視頻對講機和 HVAC。
STM32F091RCH6TR器件屬性:
核心處理器: ARM? Cortex?-M0
內核規(guī)格: 32 位單核
速度: 48MHz
連接能力: CANbus,I2C,IrDA,LINbus,SPI,UART/USART
外設: DMA,I2S,POR,PWM,WDT
I/O 數: 52
程序存儲容量: 256KB(256K x 8)
程序存儲器類型: 閃存
RAM 大?。?32K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd) :2V ~ 3.6V
數據轉換器: A/D 19x12b; D/A 2x12b
振蕩器類型: 內部
工作溫度: -40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型: 表面貼裝型
供應商器件封裝: 64-UFBGA(5x5)
封裝/外殼: 64-UFBGA
型號
品牌
封裝
數量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore? TC17xx 微控制器 IC 32 位單核 240MHz 4MB(4M x 8) 閃存 PG-LFBGA-292-6
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意法半導體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進的專有溝槽柵場截止結構開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數特性和緊密的參數分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進專有溝槽柵場截止結構的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實現(xiàn)傳導損耗和開關損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉換器的效率。其最大結溫為175C,具有無尾關斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V(典型值),并且參數分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進的專有溝柵場運算結構開發(fā),旨在實現(xiàn)傳導和開關損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數VCE(sat)和嚴格的參數分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術規(guī)格和應用場景如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產品采用先進的專有溝槽柵場截止結構,旨在優(yōu)化導通和開關損耗的平衡,從而提高任何頻率轉換器的效率?。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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