商品名稱:IPB65R115CFD7AATMA1
數(shù)據手冊:IPB65R115CFD7AATMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-263-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:5000 件
N通道650V 21A 114W晶體管 IPB65R115CFD7AATMA1 TO-263-3 表面貼裝
IPB65R115CFD7AATMA1的產品屬性
晶體管類型: N-溝道
技術: MOSFET (金屬氧化物)
漏極至源極電壓(Vdss): 650 V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°C: 21A (Tc)
驅動電壓(最大Rds開啟,最小Rds開啟): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id: 4.5V @ 490μA
柵極電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 41 nC @ 10 V
Vgs(最大): ±20V
輸入電容(Ciss)(最大)@ Vds: 1950 pF @ 400 V
功率耗散(最大): 114W (Tc)
操作溫度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: 表面貼裝
供應商器件封裝: PG-TO263-3
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2引線+焊片),TO-263AB
IPB65R115CFD7AATMA1提供了一個集成的快速體二極管,可用于PFC和諧振開關拓撲結構,如ZVS移相fll-bridge和LLC。
型號
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封裝
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描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…IMTA65R033M2H
CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術(如 CoolSiC? G2)的最佳 8x8 解決方案。它突破了標準 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制,并通過改進 .XT 互聯(lián)結構降低了熱阻。因此,可以充分利用 SiC 的特性,同時保持較小的占位面積,這是功率密度提…IMTA65R026M2H
CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術(如 CoolSiC? G2)的最佳 8x8 解決方案。它突破了標準 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制,并通過改進 .XT 互聯(lián)結構降低了熱阻。因此,可以充分利用 SiC 的特性,同時保持較小的占位面積,這是功率密度提…ISP670P06NMA
ISP670P06NMA 采用 0.167 歐姆的低 RDS(on) 值,便于功率損耗管理,使其成為 SOT-223 封裝中專為汽車應用設計的最佳 MOSFET。P 溝道器件的主要優(yōu)勢在于簡化設計復雜性。此外,該 MOSFET 的雪崩耐受能力使其適用于高要求應用。ISP670P06NMA 的特點汽車級認證產品組合中最低…ISC165N15NM6
ISC165N15NM6 采用 OptiMOS? 6 150 V 技術,憑借其無與倫比的性能和可靠性,為傳統(tǒng) OptiMOS? 3 150 V 產品提供了理想的替代方案。OptiMOS? 6 150 V 技術專為滿足高頻率和低頻率開關應用的需求而設計,適用于硬開關和軟開關模式。ISC165N15NM6 的特點與 OptiMOS? 5 相IPTC034N15NM6
IPTC034N15NM6 OptiMOS? 6 150 V 在標準模式下,為高度競爭的 150 V 市場樹立了新的性能標桿。OptiMOS? 6 150 V 技術專為滿足高頻率和低頻率開關應用的需求而設計,適用于硬開關和軟開關模式。結合 TOLT 封裝,它實現(xiàn)了頂部散熱,提供卓越的熱性能,通過散熱片將高達 9…電話咨詢:86-755-83294757
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