商品名稱:IPT026N10N5ATMA1
數(shù)據(jù)手冊:IPT026N10N5ATMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-HSOF-8-1
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:4000 件
N通道IPT026N10N5ATMA1 MOSFET晶體管8-PowerSFN集成電路芯片
產(chǎn)品屬性
晶體管極性: N-溝道
通道數(shù): 1個通道
Vds - 漏極-源極擊穿電壓:100 V
Id - 連續(xù)漏極電流:202 A
Rds On - 漏極-源極電阻:2.6 mOhms
Vgs - 柵極源電壓:- 20 V,+ 20 V
Vgs th - 柵極-源極閾值電壓:3.8 V
Qg - 柵極電荷: 96 nC
最低工作溫度:- 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率耗散:214 W
通道模式: 增強型
產(chǎn)品介紹
IPT026N10N5ATMA1是OptiMOS? 5 100V功率MOSFET,采用TO-Leadless(TOLL)封裝,空間減少60%,適用于電信和低壓驅(qū)動應用。
特點
針對同步整流進行了優(yōu)化
是高開關(guān)頻率的理想選擇
輸出電容降低達44%。
與上一代產(chǎn)品相比,RDS(on)降低達43%。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…IMTA65R033M2H
CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術(shù)(如 CoolSiC? G2)的最佳 8x8 解決方案。它突破了標準 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制,并通過改進 .XT 互聯(lián)結(jié)構(gòu)降低了熱阻。因此,可以充分利用 SiC 的特性,同時保持較小的占位面積,這是功率密度提…IMTA65R026M2H
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ISP670P06NMA 采用 0.167 歐姆的低 RDS(on) 值,便于功率損耗管理,使其成為 SOT-223 封裝中專為汽車應用設計的最佳 MOSFET。P 溝道器件的主要優(yōu)勢在于簡化設計復雜性。此外,該 MOSFET 的雪崩耐受能力使其適用于高要求應用。ISP670P06NMA 的特點汽車級認證產(chǎn)品組合中最低…ISC165N15NM6
ISC165N15NM6 采用 OptiMOS? 6 150 V 技術(shù),憑借其無與倫比的性能和可靠性,為傳統(tǒng) OptiMOS? 3 150 V 產(chǎn)品提供了理想的替代方案。OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)專為滿足高頻率和低頻率開關(guān)應用的需求而設計,適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)模式。ISC165N15NM6 的特點與 OptiMOS? 5 相IPTC034N15NM6
IPTC034N15NM6 OptiMOS? 6 150 V 在標準模式下,為高度競爭的 150 V 市場樹立了新的性能標桿。OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)專為滿足高頻率和低頻率開關(guān)應用的需求而設計,適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)模式。結(jié)合 TOLT 封裝,它實現(xiàn)了頂部散熱,提供卓越的熱性能,通過散熱片將高達 9…電話咨詢:86-755-83294757
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