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NTHL020N090SC1是一款采用全新技術(shù)的900V 碳化硅N溝道MOSFET，具有出色的開關(guān)性能和高可靠性。該功率MOSFET具有低導(dǎo)通電阻，采用緊湊的芯片尺寸，可確保低電容和低柵極電荷。SiC功率MOSFET具有諸多優(yōu)勢(shì)，例如最高效率、更快工作頻率、更高功率密度、更低EMI以及更小的系統(tǒng)尺寸。典型應(yīng)用包括UPS、直流-直流轉(zhuǎn)換器、升壓逆變器、太陽能和電源設(shè)備。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：900 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：118A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：28 毫歐 @ 60A，15V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 20mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：196 nC @ 15 V

Vgs（最大值）：+19V，-10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：4415 pF @ 450 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：503W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-3

封裝/外殼：TO-247-3

基本產(chǎn)品編號(hào)：NTHL020

• 1.平臺(tái)上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。