商品名稱:MOSFET 晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-WHSON-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
IQDH35N03LM5CGSC(N-通道功率 MOSFET 晶體管):OptiMOS? 功率 MOSFET 30V,采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝,具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)。
概述:
IQDH35N03LM5CGSC - 功率 MOSFET 晶體管,具有 0.35 mOhm 的低 RDS(on),并具有出色的散熱性能,便于管理功率損耗。此外,與包覆封裝相比,雙面冷卻封裝的耗散功率要高出五倍。這就為各種終端應(yīng)用提供了更高的系統(tǒng)效率和功率密度。
IQDH35N03LM5CGSC 優(yōu)勢:
傳導(dǎo)損耗最小
降低電壓過沖
提高最大電流能力
快速開關(guān)
需要并聯(lián)的器件更少
5x6 基底面上的 RDS(on) 最低
散熱性能提高
易于熱管理
最佳開關(guān)性能
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝
IQDH35N03LM5CGSC - 產(chǎn)品規(guī)格:
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):30 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):66A(Ta),700A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):0.35 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2V @ 1.46mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):114 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):18000 pF @ 15 V
功率耗散(最大值):2.5W(Ta),278W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-WHSON-8-U02
封裝/外殼:8-PowerWDFN
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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ICE5GR1680AG 是由 Infineon 推出的一款最新第5代固定頻率 CoolSET? 控制器,集成了最新一代800V CoolMOS? 超結(jié) MOSFET P7,采用 DSO-12 封裝??。該器件具有以下主要特點(diǎn)和優(yōu)勢:125kHz 最大開關(guān)頻率,帶有 800V 集成 MOSFET采用通用寬域輸入 (85~300VAC) DCM 設(shè)計(jì),…電話咨詢:86-755-83294757
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