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NVHL025N065SC1：650V，25mohm，N 溝道 - EliteSiC，碳化硅 (SiC) MOSFET 晶體管

型號：NVHL025N065SC1

封裝：TO-247-3

類型：碳化硅 (SiC) MOSFET 晶體管

概述：

NVHL025N065SC1 - EliteSiC MOSFET 采用全新技術(shù)，與硅相比，開關(guān)性能更優(yōu)越，可靠性更高。此外，低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極電荷。因此，系統(tǒng)優(yōu)勢包括最高的效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更小的 EMI 和更小的系統(tǒng)尺寸。

NVHL025N065SC1 - 產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：99A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：28.5 毫歐 @ 45A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 15.5mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：164 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-8V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3480 pF @ 325 V

功率耗散（最大值）：348W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-3

封裝/外殼：TO-247-3

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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