商品名稱:IMZA65R027M1H
數(shù)據(jù)手冊:IMZA65R027M1H.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
IMZA65R107M1H 650V CoolSiC? MOSFET 基于先進的溝槽半導(dǎo)體技術(shù),并經(jīng)過優(yōu)化,在毫不折衷的情況下,在應(yīng)用中實現(xiàn)最低損耗,并在運行中實現(xiàn)最佳可靠性。
英飛凌 SiC MOSFET 采用 TO247 4 引腳封裝,可降低源極寄生電感對門極電路的影響,從而加快開關(guān)速度,提高效率。
特征描述
低電容
更高電流下經(jīng)過優(yōu)化的開關(guān)行為
具有低反向恢復(fù)電荷 (Qrr) 的整流穩(wěn)健快速體二極管
卓越的門極氧化可靠性
出色的熱性能
更高的雪崩耐量
可使用標準驅(qū)動程序
4 引腳封裝
優(yōu)勢
高性能、高可靠性和易用性
實現(xiàn)高系統(tǒng)效率
降低系統(tǒng)成本和復(fù)雜性
減小系統(tǒng)尺寸
適用于具有硬換向事件的拓撲
適用于高溫和惡劣的運行條件
實現(xiàn)雙向拓撲
潛在應(yīng)用
服務(wù)器
電信系統(tǒng)
SMPS
太陽能系統(tǒng)
儲能和電池信息
UPS
電動汽車充電
電機驅(qū)動器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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F3L600R10W4S7F-C22 帶有 TRENCHSTOP? IGBT7 和 CoolSiC? 肖特基二極管和 PressFIT / NTC 的 EasyPACK? 模塊特征? 電氣特性- VCES = 950 V- IC 標稱 = 600 A / ICRM = 800 A- CoolSiCTM 肖特基二極管第 5 代- TRENCHSTOPTM IGBT7- Tvj,op = 150C? 機械特性- CTI >電話咨詢:86-755-83294757
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