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IMW120R090M1H是采用TO247-3封裝的1200 V、90 mΩCoolSiC?  SiC MOSFET，它基于先進的溝槽半導體工藝，該工藝經過優(yōu)化，兼具性能與可靠性。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)硅（Si）基開關相比，SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢，例如1200V級開關中最低的柵極電荷和器件電容電平、抗換向體二極管無反向恢復損耗、 獨立于溫度的低開關損耗以及無閾值導通特性。因此，CoolSiC? MOSFET非常適用于硬開關和諧振開關拓撲結構，如功率因素校正（PFC）電路、雙向拓撲以及DC-DC轉換器或DC-AC逆變器。

特點

極低的開關損耗

無閾值通態(tài)特性

寬廣的柵極-源極電壓范圍

基準柵極閾值電壓，VGS(th) = 4.5V

0V的關斷柵極電壓，便于簡單的柵極驅動

完全可控的dV/dt

用于硬換向的穩(wěn)健體二極管

與溫度無關的關斷開關損耗

優(yōu)勢

最高效率

減少了冷卻工作

提高了操作頻率

增加了功率密度

降低了系統(tǒng)的復雜程度

應用領域

不間斷電源（UPS）

電動汽車快速充電

太陽能系統(tǒng)解決方案

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。

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  答：可以通過網站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。