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產(chǎn)品分類

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AI 加速器

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商品型號:GS-065-018-2-L-MR

商品名稱:GaN 晶體管

品牌:INFINEON

年份:24+

封裝:PDFN 8x8

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1250

數(shù)量:
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技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
GS-065-018-2-L-MR
封裝
PDFN 8x8
描述
GaN 場效應(yīng)晶體管 650V,18A,GaN E-模式,8x8 PDFN,底部冷卻

產(chǎn)品描述

GS-065-018-2-L-MR是一款增強(qiáng)型硅基 GaN 功率晶體管。采用 8x8 mm PDFN 封裝的底部冷卻晶體管,可實現(xiàn)現(xiàn)代 USB-C 適配器和充電器或服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用所需的理想功耗。


GS-065-018-2-L-MR——表面貼裝型 N 通道 650 V 18A(Tc) 8-PDFN(8x8)

FET 類型: N 通道  

技術(shù): GaNFET(氮化鎵)  

漏源電壓(Vdss): 650 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 18A(Tc)  

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值): 110 毫歐 @ 5.5A,6V  

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 2.6V @ 4.8mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 4 nC @ 6 V  

Vgs(最大值): +7V,-10V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 132 pF @ 400 V  

工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)  

安裝類型: 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝: 8-PDFN(8x8)  

封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤 

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GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 100 V G3,PQFN 3x3,5 mΩ

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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