商品名稱:碳化硅 MOSFET 模塊
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:模塊
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
FF8MR12W1M1HB70 是 EasyDUAL? 2B CoolSiC? MOSFET 半橋模塊,電壓為 1200 V,G1 為 8 mΩ,集成了 NTC 溫度傳感器、PressFIT 觸點(diǎn)技術(shù)和氮化鋁陶瓷。
FF8MR12W1M1HB70 的特點(diǎn)
同類最佳,高度為 12.25 毫米
領(lǐng)先的 WBG 材料
極低的模塊雜散電感
增強(qiáng)型 CoolSiC? 第一代 MOSFET
采用增強(qiáng)型 1 溝道技術(shù)
更大的柵極驅(qū)動(dòng)電壓窗口
電壓窗口為 15 至 18 V 和 0 至 -5 V
擴(kuò)展的最大柵極-源極電壓
柵極-源極電壓為 +23 V 和 -10 V
Tvjop:過載條件高達(dá) 175°C
集成 NTC 溫度傳感器
FF8MR12W1M1HB70 的優(yōu)勢(shì)
出色的模塊效率
系統(tǒng)成本優(yōu)勢(shì)
提高系統(tǒng)效率
降低冷卻要求
實(shí)現(xiàn)更高頻率
提高功率密度
DCB 材料的導(dǎo)熱性
FF8MR12W1M1HB70 的應(yīng)用
儲(chǔ)能系統(tǒng)
電動(dòng)汽車充電
燃料電池 DC-DC 升壓轉(zhuǎn)換器
光伏
不間斷電源 (UPS)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BTS3410G
BTS3410G 是英飛凌推出的智能低側(cè)功率開關(guān),采用 HITFET 技術(shù) 和 N溝道垂直功率MOSFET 設(shè)計(jì),適用于 12V DC 電源系統(tǒng)中的電阻性、感性和容性負(fù)載開關(guān)控制。BSP613P
BSP613P 是英飛凌 SIPMOS 系列的 P 溝道增強(qiáng)型小信號(hào) MOSFET,采用溝槽(Trench)工藝制造,專為 60 V 中壓、2.9 A 級(jí)別的負(fù)載開關(guān)、反向極性保護(hù)及高側(cè)驅(qū)動(dòng)而設(shè)計(jì)。S29GL01GT10FHI010
S29GL01GT10FHI010 是 一款 1Gb(128M 8 位)并行 NOR Flash 存儲(chǔ)器,采用 64-FBGA(1311mm) 封裝。BSC059N04LS6
BSC059N04LS6 采用英飛凌第六代 OptiMOS? 工藝,在 5 mm 6 mm 的 TDSON-8 表面貼裝封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)極低導(dǎo)通電阻與低柵極電荷,專為高效率 DC-DC 降壓、同步整流及電機(jī)驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化。IPLU300N04S4-R8
IPLU300N04S4-R8 基于英飛凌 OptiMOS? 5 技術(shù),專為高電流、高密度汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì)。電話咨詢:86-755-83294757
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