商品名稱:NFVA35065L32
數(shù)據(jù)手冊:NFVA35065L32.PDF
品牌:ON
年份:21+
封裝:DIP-27
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
NFVA35065L32 是一款先進(jìn)的智能功率模塊 (IPM),提供了全功能、高性能逆變器輸出級,適用于混合和電動車輛。這些模塊集成了內(nèi)置 IGBT 的優(yōu)化門極驅(qū)動,可最大程度減少 EMI 和損耗,同時還提供多個模塊上保護(hù)功能,包括欠壓鎖定、過電流關(guān)斷、驅(qū)動集成電路的高溫監(jiān)控和故障報告。內(nèi)置的高速 HVIC 僅需一個電源電壓,會將傳入的邏輯電平門極輸入轉(zhuǎn)換為正確驅(qū)動模塊內(nèi)部 IGBT 所需的高電壓、高電流驅(qū)動信號。對于每個相位提供單獨(dú)的負(fù) IGBT 端子,可支持最廣泛的控制算法。
特性
采用27引腳DIP封裝的ASPM
符合AEC AQG3324標(biāo)準(zhǔn)并具有PPAP功能
三相650V和50A IGBT逆變器,具有集成柵極驅(qū)動器和保護(hù)特性
確保175°C額定短路的場終止 (FS) 溝槽型IGBT,具有穩(wěn)定的EMI性能
采用AIN DBC基板,具有出色的耐熱性
將發(fā)射極開路引腳與低側(cè)IGBT隔離以實(shí)現(xiàn)三相電流檢測
單接地電源
內(nèi)置LVIC溫度檢測,用于溫度監(jiān)控
額定隔離性能:2500Vrms/分鐘
無鉛,符合RoHS指令
應(yīng)用
汽車高壓輔助電機(jī)
電動空調(diào)壓縮機(jī)
滑油泵/水泵
超級增壓器/渦輪增壓器
多功能風(fēng)機(jī)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機(jī)預(yù)驅(qū)動器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費(fèi)類電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用設(shè)計。UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢:86-755-83294757
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