MD29HFC120N6HT是一款1200V/2.83mΩ SiC MOSFET 模塊 2 封裝。STARPOWER SiC MOSFET 功率模塊具有極低的 RDS(導通)和極高的阻斷電壓。它專為混合動力和電動汽車等應用而設(shè)計。
MD29HFC120N6HT特點
? SiC 功率 MOSFET
? 具有低 RDS(導通)的高阻塞電壓
? 易于并聯(lián),驅(qū)動簡單
? 低電感情況下避免振蕩
? 采用 Si3N4 AMB 技術(shù)的隔離式銅針腳基板
MD29HFC120N6HT
封裝:N6
額定電流:-
芯片類型:SIC
額定電壓:1200V
電路結(jié)構(gòu):Half Bridge/半橋
特征:注塑,PINFIN 基板
等效電路原理圖
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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斯達半導體股份有限公司成立于2005年4月,專業(yè)從事以IGBT為主的功率半導體芯片和模塊的設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)及銷售服務,是目前國內(nèi)功率半導體器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。公司總部位于浙江嘉興,在上海、重慶、浙江和歐洲均設(shè)有子公司,并在國內(nèi)和歐洲德國和瑞士設(shè)有研發(fā)中心。2020年…
ID10FFX60U5SS
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DG75H12T2 是 IGBT 功率分立器件,具有超低的傳導損耗和開關(guān)損耗。它們專為通用逆變器和 UPS 等應用而設(shè)計。DG75H12T2 的特點低 VCE(飽和)溝槽式 IGBT 技術(shù)開關(guān)損耗低最高結(jié)溫 175℃正溫度系數(shù) VCE(sat)快速和軟反向恢復反并聯(lián) FWDDG75H12T2 的典型應用太陽能電子焊機不…DG50H12T2
DG50H12T2 是 IGBT 功率分立器件,具有超低的傳導損耗和開關(guān)損耗。它們專為通用逆變器和 UPS 等應用而設(shè)計。DG50H12T2 的特點低 VCE(飽和)溝槽式 IGBT 技術(shù)開關(guān)損耗低最高結(jié)溫 175℃正溫度系數(shù) VCE(sat)快速和軟反向恢復反并聯(lián) FWDDG50H12T2 的典型應用用于電機驅(qū)動的逆…DG40H12T2
DG40H12T2 是 IGBT 功率分立器件,具有超低的傳導損耗和開關(guān)損耗。它們專為通用逆變器和 UPS 等應用而設(shè)計。DG40H12T2 的特點低 VCE(飽和)溝槽式 IGBT 技術(shù)開關(guān)損耗低最高結(jié)溫 175℃正溫度系數(shù) VCE(sat)快速和軟反向恢復反并聯(lián) FWDDG40H12T2 的典型應用太陽能電子焊機不…ID50FFX60U3S
ID50FFX60U3S - 600V,50A 緊湊型 - IPM 模塊,U3封裝ID50FFX60U3S- 產(chǎn)品規(guī)格:型號:ID50FFX60U3S(緊湊型 - IPM 模塊)封裝:U3額定電壓:600V額定電流:50A導通壓降 VCE(sat) Tvj=25℃ typ:1.70V芯片類型:Trench-FS Gen1電路結(jié)構(gòu):Sixpack/六單元ID50FFX60U3S - 產(chǎn)品…電話咨詢:86-755-83294757
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