AR0234CSSM00SUKA0-CP2是一款1/2.6英寸200萬像素CMOS數(shù)字圖像傳感器,有源像素陣列為1920 (H) x 1200 (V)。該傳感器具有高級攝像頭功能,如自動曝光控制、窗口、行和列跳過模式、像素分檔以及視頻/單幀模式。
規(guī)格:
類型:CMOS數(shù)字圖像傳感器
圖象大?。?920 H x 1200 V
顏色讀出:Monochrome
分辨率:2.3 Megapixels
每秒幀數(shù):120 fps
像素大小 - 寬x高:3 um x 3 um
封裝 / 箱體:ODCSP-83
封裝:Tray
商標:onsemi
濕度敏感性:Yes
安裝風格:SMD/SMT
光學格式:1/2.6 in
產品類型:Image Sensors
系列:AR0234CS
特性:
一流的全局快門效率
低暗電流/熱像素
高線性滿井
低工作功率
小尺寸面積
內置統(tǒng)計引擎
多種功能模式--行跳、列跳、合并采樣
AR0234CS以業(yè)界領先的全局快門效率產出極為清晰、銳利的數(shù)字圖片,它既能捕獲連續(xù)視頻,又能捕獲單幀,這使它成為各種應用的完美選擇,如掃描、自主移動、監(jiān)視監(jiān)控和工業(yè)質量控制。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機預驅動器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅動應用設計。UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢:86-755-83294757
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