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NSF040120L4A0Q是一款基于碳化硅（SiC）的1200V功率MOSFET，采用成熟的4引腳TO-247塑料封裝，具有出色的漏源導(dǎo)通電阻溫度穩(wěn)定性。該系列具有低開關(guān)損耗、快速反向恢復(fù)和快速開關(guān)速度。典型應(yīng)用包括電動汽車（ev）充電基礎(chǔ)設(shè)施、光伏逆變器、開關(guān)模式電源（SMPS）、不間斷電源和電機驅(qū)動器。

NSF040120L4A0Q的規(guī)格：

通道模式：Enhancement

下降時間：8 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值：19 S

Id-連續(xù)漏極電流：65 A

最大工作溫度：+ 175°C

最小工作溫度：- 55°C

安裝風格：Through Hole

通道數(shù)量：1 Channel

封裝 / 箱體：TO-247-4

Pd-功率耗散：306 W

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

Qg-柵極電荷：95 nC

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：60 mOhms

上升時間：24 ns

工廠包裝數(shù)量：450

子類別：Transistors

技術(shù)：SiC

晶體管極性：N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間：22 ns

典型接通延遲時間：22 ns

Vds-漏源極擊穿電壓：1.2 kV

Vgs - 柵極-源極電壓：- 10 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：2.9 V

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