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MSC030SDA070B - 采用 TO-247-2 封裝的 700V 30A 碳化硅 (SiC) 肖特基勢壘二極管

MSC030SDA070B - 產(chǎn)品屬性：

技術： SiC（碳化硅）肖特基

電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：700 V

電流 - 平均整流 (Io)：60A

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 30 A

速度：無恢復時間 > 500mA（Io）

反向恢復時間 (trr)：0 ns

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：200 μA @ 700 V

不同 Vr、F 時電容：1200pF @ 1V，1MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-247-2

供應商器件封裝：TO-247

工作溫度 - 結：-55°C ~ 175°C

與傳統(tǒng)的硅（Si）功率二極管相比，碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）具有更高的動態(tài)和熱性能。與純硅器件相比，碳化硅器件具有更大的介質(zhì)擊穿場強、更高的帶隙和更高的熱傳導率。SiC SBD 的正向和反向恢復電荷均為零，從而降低了二極管開關損耗。這些器件還提供與溫度無關的開關，確保穩(wěn)定的高溫性能。

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