商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:TO-263-7
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
AIMBG75R027M1H是一款采用 TO263-7 封裝的750 V、64A汽車類碳化硅MOSFET分立器件。該750 V MOSFET適用于汽車應(yīng)用,例如車載充電器/PFC、輔助逆變器和不間斷電源(UPS)。
Infineon CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運(yùn)行中的最高可靠性。
規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiC
漏源電壓(Vdss):750 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):64A(Tj)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,20V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):25 毫歐 @ 24.5A,20V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5.6V @ 8.8mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):49 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+23V,-5V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1668 pF @ 500 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):273W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等級(jí):汽車級(jí)
資質(zhì):AEC-Q101
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-7
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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S29GL01GT10FHI010 是 一款 1Gb(128M 8 位)并行 NOR Flash 存儲(chǔ)器,采用 64-FBGA(1311mm) 封裝。電話咨詢:86-755-83294757
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