商品名稱(chēng):碳化硅 MOSFET 單管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:HDSOP-22
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
IMDQ75R027M1H是一款750V、64A 碳化硅MOSFET分立器件。英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運(yùn)行中的最高可靠性。
規(guī)格
FET 類(lèi)型:N 通道
技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)
漏源電壓(Vdss):750 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):64A(Tj)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,20V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):25 毫歐 @ 24.5A,20V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5.6V @ 8.8mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):49 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+20V,-2V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1668 pF @ 500 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):273W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等級(jí):-
資質(zhì):-
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-HDSOP-22-1
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC? 汽車(chē)級(jí) MOSFET 750 V G2,采用 Q-DPAK 頂部冷卻封裝,16 mΩ
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC? 汽車(chē)級(jí) MOSFET 750 V G2,采用 Q-DPAK 頂部冷卻封裝,25 mΩ
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC? 汽車(chē)級(jí) MOSFET 750 V G2,采用 Q-DPAK 頂部冷卻封裝,60 mΩ
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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OPTIREG? 線性 TLE42744DV50 是一款單片集成低壓差電壓調(diào)節(jié)器,適用于最大負(fù)載電流為 400 mA 的應(yīng)用。TLE42754G
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BTS3410G 是英飛凌推出的智能低側(cè)功率開(kāi)關(guān),采用 HITFET 技術(shù) 和 N溝道垂直功率MOSFET 設(shè)計(jì),適用于 12V DC 電源系統(tǒng)中的電阻性、感性和容性負(fù)載開(kāi)關(guān)控制。BSP613P
BSP613P 是英飛凌 SIPMOS 系列的 P 溝道增強(qiáng)型小信號(hào) MOSFET,采用溝槽(Trench)工藝制造,專(zhuān)為 60 V 中壓、2.9 A 級(jí)別的負(fù)載開(kāi)關(guān)、反向極性保護(hù)及高側(cè)驅(qū)動(dòng)而設(shè)計(jì)。S29GL01GT10FHI010
S29GL01GT10FHI010 是 一款 1Gb(128M 8 位)并行 NOR Flash 存儲(chǔ)器,采用 64-FBGA(1311mm) 封裝。電話咨詢(xún):86-755-83294757
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