RCX450N20一款10V驅(qū)動型 N溝道功率MOSFET,電界効果晶體管的MOSFET。提供通過采用細微流程的「超低阻值的設(shè)備」而在廣泛領(lǐng)域得以應(yīng)用的功率MOSFET,并且結(jié)合用途,以多樣的小型高功率復(fù)合型的產(chǎn)品線對應(yīng)多種市場需求。
產(chǎn)品屬性
制造商: ROHM Semiconductor
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續(xù)漏極電流: 45 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 42 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 80 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 40 W
通道模式: Enhancement
系列: RCX450N20
配置: Single
下降時間: 70 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 210 ns
工廠包裝數(shù)量: 500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 90 ns
典型接通延遲時間: 52 ns
單位重量: 2 g
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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羅姆(ROHM)株式會社是全球知名的半導(dǎo)體廠商之一,總部所在地設(shè)在日本京都市,ROHM設(shè)計和制造半導(dǎo)體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長的無線、計算機、汽車和消費電子市場均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設(shè)備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
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