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CY15V116QSN-108BKXQ是一款采用先進(jìn)鐵電工藝的高性能 16-Mb 非易失性存儲器。鐵電隨機(jī)存取存儲器或 F-RAM 是非易失性存儲器，其讀寫功能與 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時消除了串行閃存和其他非易失性存儲器帶來的復(fù)雜性、開銷和系統(tǒng)級可靠性問題。

CY15x116QSN 將 16-Mb F-RAM 與高速四 SPI (QPI) SDR 和 DDR 接口相結(jié)合，增強了 F-RAM 技術(shù)的非易失性寫入能力。該器件集成了只讀器件 ID 和唯一 ID 功能，允許 SPI 總線主控器確定每個部件的制造商、產(chǎn)品密度、產(chǎn)品修訂版和唯一 ID。該器件還提供一個只讀的唯一序列號，可用于識別電路板或系統(tǒng)。

產(chǎn)品屬性

類別：存儲器  

包裝： 托盤  

零件狀態(tài)： 在售  

存儲器類型： 非易失  

存儲器格式： FRAM  

技術(shù)： FRAM（鐵電體 RAM）  

存儲容量： 16Mb  

存儲器組織： 2M x 8  

存儲器接口： SPI - 四 I/O，QPI  

時鐘頻率： 108 MHz  

訪問時間： 6.7 ns  

電壓 - 供電： 1.71V ~ 1.89V

工作溫度： -40°C ~ 105°C（TA）  

安裝類型： 表面貼裝型  

封裝/外殼： 24-TBGA  

供應(yīng)商器件封裝：24-FBGA（6x8） 

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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