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CY15B116QN-40BKXA是一款低功耗、16 Mbit 非易失性存儲器，采用先進的鐵電工藝。鐵電隨機存取存儲器或 F-RAM 是非易失性存儲器，其讀寫功能與 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時消除了串行閃存、EEPROM 和其他非易失性存儲器帶來的復(fù)雜性、開銷和系統(tǒng)級可靠性問題。與串行閃存和 EEPROM 不同，CY15X116QN 以總線速度執(zhí)行寫入操作。不會產(chǎn)生寫入延遲。每個字節(jié)成功傳輸?shù)狡骷螅瑪?shù)據(jù)立即寫入存儲器陣列。無需進行數(shù)據(jù)輪詢，即可開始下一個總線周期。此外，與其他非易失性存儲器相比，該產(chǎn)品具有很強的寫入耐用性。CY15X116QN 能夠支持 1014 次讀寫周期，比 EEPROM 多 1 億次寫入周期。

產(chǎn)品屬性

類別：存儲器  

系列： Excelon?-LP,F-RAM?

存儲器類型： 非易失  

存儲器格式： FRAM  

技術(shù)： FRAM（鐵電體 RAM）  

存儲容量：16Mb

存儲器組織： 2M x 8  

存儲器接口： SPI  

時鐘頻率：40 MHz

訪問時間：9 ns

電壓 - 供電：1.8V ~ 3.6V

工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）  

安裝類型： 表面貼裝型  

封裝/外殼：24-TBGA  

供應(yīng)商器件封裝： 24-FBGA（6x8） 

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