商品名稱:碳化硅 MOSFET
品牌:Wolfspeed
年份:24+
封裝:TOLL
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:12500 件
C3M0045065L SiC MOSFET C3M?(采用TOLL封裝)與標(biāo)準(zhǔn)硅MOSFET相比,導(dǎo)通電阻溫度相關(guān)性要低得多。該MOSFET器件具有出色的開關(guān)速度和低導(dǎo)通損耗,這對(duì)于下一代電源在高功率下實(shí)現(xiàn)高效率至關(guān)重要。
特點(diǎn)
? 第三代 SiC MOSFET 技術(shù)
? 優(yōu)化封裝,具有獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)源引腳
? 高阻塞電壓,低導(dǎo)通電阻
? 高速開關(guān),低電容
? 快速本征二極管,反向恢復(fù) (Qrr) 低
? 無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范
規(guī)格
制造商: Wolfspeed, Inc.
系列: C3M?
FET 類型: N 通道
技術(shù): SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss): 650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :49A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 15V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 60 毫歐 @ 17.6A,15V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值) 3.6V @ 4.84mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 59 nC @ 15 V
Vgs(最大值): +19V,-8V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 1621 pF @ 400 V
功率耗散(最大值): 164W(Tc)
工作溫度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: TOLL
應(yīng)用
? 數(shù)據(jù)中心電源
? 電信電源
? 儲(chǔ)能系統(tǒng)
? 太陽(yáng)能(光伏)逆變器
? 高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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答:可以通過網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過電話以及郵箱咨詢。
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
Wolfspeed(紐交所代碼:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關(guān)器件和射頻器件,涵蓋電動(dòng)汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲(chǔ)以及航空航天和國(guó)…
C3M0060065D
C3M0045065K 是 N 溝道增強(qiáng)型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0060065D 的特性第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻塞電壓,低導(dǎo)通電阻高速開關(guān),低電容快速本征二極管,低反向恢復(fù) (Qrr)無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范C3M0060065D 的優(yōu)點(diǎn)更高的系統(tǒng)效率降低冷卻要求功率密度更高提高…C3M0045065K
C3M0045065K 是 N 溝道增強(qiáng)型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0045065K 的特性C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)優(yōu)化封裝,具有獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)源引腳漏極和源極之間的爬電距離為 8 毫米高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻高速開關(guān),低電容快速本征二極管,低反向恢復(fù) (Qrr)無鹵素,符合…C3M0021120D
C3M0021120D 是 N 溝道增強(qiáng)型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0021120D 的特點(diǎn)第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻高速開關(guān),低電容具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范C3M0021120D 的優(yōu)點(diǎn)降低開關(guān)損耗,最大限度地減少柵極振鈴…E4M0060075K1
E4M0060075K1 是汽車 N 溝道增強(qiáng)模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0060075K1 的特點(diǎn)優(yōu)化封裝,具有獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)源引腳高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻高速開關(guān),低電容本征二極管速度快,反向恢復(fù) (Qrr) 低無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認(rèn)證 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…E4M0045075K1
E4M0045075K1 是汽車 N 溝道增強(qiáng)模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0045075K1 的特點(diǎn)優(yōu)化封裝,具有獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)源引腳高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻高速開關(guān),低電容本征二極管速度快,反向恢復(fù) (Qrr) 低無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認(rèn)證 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…HAS350M12BM3
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè)級(jí) HV-H3TRB 認(rèn)證、CTI 600、SiC 功率模塊。Wolfspeed HAS模塊非常適用于高頻 工業(yè)應(yīng)用,如感應(yīng)加熱、軌道/牽引、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施。HAS350M12BM3具有以下特性:漏源電壓(Vdss):1200V25C 時(shí)電流 -…電話咨詢:86-755-83294757
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