商品名稱：時鐘發(fā)生器
品牌：Renesas
年份：24+
封裝：32-VFQFN
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
8T49N004A-999NLGI 是一款四輸出時鐘發(fā)生器，具有可選的LVDS或LVPECL輸出。8T49N004I可以從單晶體或參考時鐘產(chǎn)生四種頻率中的任意一種。
產(chǎn)品屬性
類型：時鐘發(fā)生器
PLL：帶旁路
輸入：晶體
輸出：LVPECL
電路數(shù)：1
比率 - 輸入:輸出：1：4
差分 - 輸入:輸出：無/是
頻率 - 最大值：200MHz
分頻器/倍頻器：是/無
電壓 - 供電：2.375V ~ 3.465V
工作溫度：-40°C ~ 85°C
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：32-VFQFN 裸露焊盤
供應商器件封裝：32-VFQFN（5x5）
基本產(chǎn)品編號：8T49N004
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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瑞薩科技是世界十大半導體芯片供應商之一，在很多諸如移動通信、汽車電子和PC/AV 等領域獲得了全球最高市場份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立，以領先的科技實現(xiàn)人類的夢想。結(jié)合了日立與三菱電機在半導體領域上的豐富經(jīng)驗和專業(yè)知識，配合全球二萬七千名員工的無限創(chuàng)…
TP65H300G4JSGB
TP65H300G4JSGB是一款 650V 240mΩ 氮化鎵 （GaN） FET 是使用瑞薩電子第四代平臺構建的常閉器件。該晶體管結(jié)合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術，提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4JSGB主要規(guī)格如下：晶體管極性：N-Channel通道數(shù)量：1 ChannelVds-漏源極…
TP65H300G4LSGB
TP65H300G4LSGB 650V 240mΩ 氮化鎵 （GaN） FET 是使用瑞薩電子的 Gen IV 平臺構建的常閉器件。TP65H300G4LSGB結(jié)合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術，提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4LSGB采用行業(yè)標準的 PQFN88 封裝，具有 Kelvin 源和通用源封裝配置。…
AT25SF2561C-SXUB
AT25SF2561C-SXUB是一款256 Mbit SPI串行閃存，由Renesas生產(chǎn)，支持單/雙/四線I/O、QPI和DTR接口，適用于工業(yè)、消費電子等領域。該器件具有以下特性：通用兼容的引腳排列和命令集標準塊架構支持雙 I/O、四 I/O、QPI 和 XiP 操作高達 133MHz雙倍傳輸速率（DTR）高達 84MHz…
AT25SF2561C-MWUB
AT25SF2561C-MWUB是Renesas推出的256Mbit 3V SPI串行閃存，支持單路、雙路、四路 I/O、QPI 和 DTR操作，適用于工業(yè)、消費類和聯(lián)網(wǎng)應用。其技術參數(shù)如下：安裝風格：SMD/SMT封裝 / 箱體：DFN-8系列：AT25xF2561C存儲容量：256 Mbit電源電壓-最?。?.7 V電源電壓-最大：3.6…
AT25QF2561C-SXUB
AT25QF2561C-SXUB 256Mbit串行外設接口（SPI）NOR閃存器件設計用于各種大容量工業(yè)、消費類和聯(lián)網(wǎng)應用。AT25QF2561C-SXUB可用于將從閃存啟動到嵌入式或外部RAM的程序存儲器存儲，和/或用于直接從閃存執(zhí)行（XiP）中執(zhí)行代碼。為了實現(xiàn)快速執(zhí)行，AT25QF2561C-SXUB支持高達13…
AT25QF2561C-MWUB
AT25QF2561C-MWUB是一款 256Mbit 串行外設接口（SPI）閃存器件，用于各種大容量工業(yè)、消費電子和連接應用。 它可以儲存從閃存到嵌入式或外部 RAM 的程序內(nèi)存，和/或直接從閃存執(zhí)行代碼（就地執(zhí)行（XiP））。 為了實現(xiàn)快速執(zhí)行，AT25QF2561C-MWUB支持四通道 SPI 和 QPI 接…電話咨詢：86-755-83294757
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