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FDMC007N08LCDC - 80V、6.8mΩ N 溝道屏蔽柵功率 Trench? MOSFET 晶體管

型號(hào)：FDMC007N08LCDC

封裝：8-PQFN

類型：MOSFET 晶體管

描述：MOSFET - N 溝道屏蔽門 POWER TRENCH 80V，6.8mΩ

產(chǎn)品概覽

FDMC007N08LCDC - 這款 N 溝道 MV MOSFET 采用先進(jìn)的 PowerTrench? 工藝生產(chǎn)，該工藝采用了屏蔽門技術(shù)。該工藝經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度地降低導(dǎo)通電阻，同時(shí)保持同類軟體二極管的性能。

產(chǎn)品特性

- 屏蔽柵 MOSFET 技術(shù)

- VGS = 10 V、ID = 22 A 時(shí)，最大 RDS（導(dǎo)通）= 6.8 m

- VGS = 4.5 V 時(shí)最大 RDS(on) = 11.1 m，ID = 18 A

- 5 V 驅(qū)動(dòng)能力

- Qrr 比其他 MOSFET 供應(yīng)商低 50

- 降低開關(guān)噪聲/EMI

- MSL1 強(qiáng)大的封裝設(shè)計(jì)

- 100% 通過 UIL 測(cè)試

應(yīng)用

- 初級(jí) DC-DC MOSFET

- DC-DC 和 AC-DC 中的同步整流器

- 電機(jī)驅(qū)動(dòng)

- 太陽能

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  答：我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。