STGW60H65DFB是650 V、60 A高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。這些器件是新型 HB 系列 IGBT 的一部分,在傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間實現(xiàn)了最佳折衷,從而最大限度地提高了任何變頻器的效率。此外,略正的 VCE(飽和)溫度系數(shù)和非常緊密的參數(shù)分布使并聯(lián)運行更加安全。
規(guī)格
IGBT 類型: 溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值): 650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值): 80 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm): 240 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值): 2V @ 15V,60A
功率 - 最大值: 375 W
開關(guān)能量: 1.09mJ(開),626μJ(關(guān))
輸入類型: 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷: 306 nC
25°C 時 Td(開/關(guān))值: 51ns/160ns
測試條件: 400V,60A,5 歐姆,15V
反向恢復(fù)時間 (trr) :60 ns
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝: TO-247
產(chǎn)品功能
最高結(jié)溫: TJ = 175 °C
高速開關(guān)系列
尾電流最小
低飽和電壓: VCE(sat) = 1.6 V(典型值) @ IC = 60 A
嚴(yán)格的參數(shù)分布
安全并聯(lián)
正 VCE(飽和)溫度系數(shù)
熱阻低
極快的軟恢復(fù)反并聯(lián)二極管
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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