商品名稱:STM32WB55REV6
數(shù)據(jù)手冊:STM32WB55REV6.pdf
品牌:ST
年份:21+
封裝:VFQFPN68
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:5000 件
STM32雙核多協(xié)議無線微控制器 (MCU) 是一款超低功耗2.4GHz MCU片上系統(tǒng) (SoC)。STM32WB支持Bluetooth?/BLE 5.0以及IEEE 802.15.4通信協(xié)議(在單一和并行模式下),滿足各種物聯(lián)網(wǎng)應用的需求。STM32無線MCU基于超低功耗STM32L4 MCU,它具有豐富靈活的外設集,設計用于縮短開發(fā)時間、降低開發(fā)成本、延長應用電池壽命以及激發(fā)創(chuàng)新。
規(guī)格參數(shù)
類型 TxRx + MCU
射頻系列/標準 802.15.4,藍牙
協(xié)議 藍牙 v5.2,Thread,Zigbee?
調制 GFSK
頻率 2.405GHz ~ 2.48GHz
數(shù)據(jù)速率(最大值) 2Mbps
功率 - 輸出 6dBm
靈敏度 -100dBm
存儲容量 512kB 閃存,256kB SRAM
串行接口 ADC,I2C,SPI,UART,USART,USB
GPIO 49
電壓 - 供電 1.71V ~ 3.6V
電流 - 接收 4.5mA ~ 7.9mA
電流 - 傳輸 5.2mA ~ 12.7mA
工作溫度 -40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型 表面貼裝型
封裝/外殼 68-VFQFN 裸露焊盤
供應商器件封裝 68-VFQFPN(8x8)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進的專有溝槽柵場截止結構開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進專有溝槽柵場截止結構的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實現(xiàn)傳導損耗和開關損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉換器的效率。其最大結溫為175C,具有無尾關斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進的專有溝柵場運算結構開發(fā),旨在實現(xiàn)傳導和開關損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術規(guī)格和應用場景如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進的專有溝槽柵場截止結構,旨在優(yōu)化導通和開關損耗的平衡,從而提高任何頻率轉換器的效率?。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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