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SCTH100N65G2-7AG 650V 汽車級碳化硅功率MOSFET器件采用ST先進創(chuàng)新的第二代SiC MOSFET技術(shù)開發(fā)而成。該器件具有非常低的單位面積導(dǎo)通電阻和非常好的開關(guān)性能。開關(guān)損耗的變化幾乎與結(jié)溫?zé)o關(guān)。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：95A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：26 毫歐 @ 50A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：162 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3315 pF @ 520 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：360W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等級：汽車級

資質(zhì)：AEC-Q101

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：H2PAK-7

封裝/外殼：TO-263-8，D2PAK（7 引線 + 凸片），TO-263CA

基本產(chǎn)品編號：SCTH100

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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