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NTMYS003N08LHTWG N溝道功率MOSFET專為緊湊高效的設計而打造，采用5mmx6mm LFPAK封裝。該功率MOSFET具有低RDS (ON) 、低QG 和電容、80V漏源電壓、±20V柵極-源極電壓以及-55°C至175°工作結溫和存放溫度范圍。NTMYS003N N溝道功率MOSFET不含鉛，符合RoHS指令。典型應用包括MV同步整流器MOSFET和電機開關。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：80 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：22A（Ta），132A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：3.3 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 183μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：64 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3735 pF @ 40 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），137W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等級：-

資質：-

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：LFPAK4（5x6）

封裝/外殼：SOT-1023，4-LFPAK

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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  答：大部分商品信息中都有標注貨期，您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間，具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。