商品名稱:NVBG095N65S3F
品牌:ON
年份:23+
封裝:D2PAK-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
NVBG095N65S3F N溝道SUPERFET? III MOSFET是一款高壓超級(jí)結(jié)(SJ) MOSFET,采用電荷平衡技術(shù)。該功率MOSFET具有更低的導(dǎo)通損耗、出色的開關(guān)性能,并可承受極端dv/dt速率。該產(chǎn)品優(yōu)化了體二極管的反向恢復(fù)性能,無需額外元件,提高了系統(tǒng)可靠性。這款MOSFET符合AEC?Q101標(biāo)準(zhǔn),具有PPAP功能,無鉛,符合RoHS指令。典型應(yīng)用包括汽車車載充電器和BEV用汽車DC/DC轉(zhuǎn)換器。
規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):36A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):95 毫歐 @ 18A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5V @ 860μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):66 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):3020 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):272W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等級(jí):汽車級(jí)
資質(zhì):AEC-Q101
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:D2PAK-7
封裝/外殼:TO-263-8,D2PAK(7 引線 + 凸片),TO-263CA
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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